轉職熱搜工作

1. 參與社會科學、資料科學，及人工智慧研究，包含傳播、社會、政治、NLP、CV等領域。參考網站：https://cdna.survey.sinica.edu.tw/ 2. 運用各式統計方法，分析多模態數位足跡和問卷調查資料，包含進階統計模型，如社會網路分析。 3. 爬蟲系統開發與常態性維護。 4. 資料庫管理（以SQL、Pandas為主）。 5. 文獻蒐集與研讀。 6. 其他主管交辦事項。 7. 適用勞動基準法，依法給予保勞健保、勞退金提撥。

能長期日間工讀之在學學生（非暑期工讀）： 1.協助處理所長室庶務、電話接聽 2.公文分發及歸檔 3.網站資料輸入及表格編排 4.海報簡易製作 5.協助處理庶務性行政工作（如：會場佈置，茶水準備）等臨時交辦事項

三、【工作內容】 1. 文書業務內容處理(需熟悉word、excel等軟體)。 2. 一般行政庶務業務執行。 3. 計劃內經費核銷及業務管理。 4. 環境維持及工具養護。 5. 主管臨時交辦事項。 四、【需求條件】 1. 高中(職)含以上畢業。 2. 熟悉Word、Excel、PDF等各項電腦操作能力。 3. 具備汽車及機車駕照(需熟悉)。 4. 可配合加班。 5. 具活動執行及對外溝通能力。 　　 6. 具熱忱並勇於發問。 五、【薪資待遇】32,000~38000元/月(依學、經歷面議)。 六、【檢具資料】 1.履歷表(含照片、學經歷、專長及連絡方式) 2.自傳 3.最高學歷證書影本 4.其他有助審查資料(如駕照、相關證照、文書操作能力佐證等) 5.應徵人員個人資料蒐集告知條款及同意書 七、【收件方式】以郵戳或電子郵件信箱收件 八、【聯絡資訊】機械工程系陳柏翰先生，(02)2908-9899#分機5148 九、【電子郵件】harry5207799@o365.mcut.edu.tw 十、【截止日期】115年12月31日(以郵戳或電子信箱收件日為憑)

一、 職務名稱：化學及藥物合成專案研究人員（碩士級）1 名／化學及藥物合成專案經理（博士級）1 名 二、 工作單位：藥物合成及分析核心設施－化學及藥物合成核心三、 工作內容： 1、 執行業界及學研界之小分子新藥與化合物合成委託專案。 2、 依據目標化合物進行文獻搜尋與合成路徑評估，執行多步驟有機合成、反應條件優化、化合物純化、分析及結構確認。 3、 定期彙整專案進度與實驗結果，並與合作團隊進行跨領域技術討論。 4、 參與核心設施相關運作與管理，以及其他主管交辦事項。四、 應徵資格： 1、 教育部認可之國內外具化學、有機合成相關領域的碩士或博士學位。 2、 具備多步驟有機合成(Multi-step Organic Synthesis)之實作經驗，並具獨立執行實驗及解決問題之能力。 3、 具 NMR、HPLC、LC-MS 操作與光譜解析能力、生技新藥／藥廠 R&D 經驗，或良好中英文跨團隊溝通能力者優先。五、 工作時間：依本院規定。 六、 工作地點：臺北市南港區研究院路一段 130 巷 99 號 (國家生技研究園區內)。 七、 待遇：依本院約聘人員支給酬金標準支薪，並視資歷與能力彈性面議/加給（碩士級 45,624 元起、博士級 65,655 元起）。 八、 應徵文件： 1、 詳細履歷表。 2、 學經歷證明。 3、 論文/研究成果摘要（請簡述曾參與之有機合成研究或代表性合成經驗）。 九、 應徵注意事項： 1、 意者請於 115 年 12 月 31 日( 星期四) 前將電子檔 Email 至 cylin826@as.edu.tw，信件主旨請註明：應徵化學及藥物合成核心專案人員/經理-姓名。 2、 聯絡人：林小姐；聯絡電話：(02) 5572-8587。 3、 備註：初審合格者擇優通知面試，資格不符或未獲遴用恕不另行通知。

1.本院單位人資專業服務 ● 規劃與執行人力資源選、用、育、留等業務。 ● 協助單位組織發展及人才發展。 ● 所轄業務之簡報、統計分析及相關系統維護。 ● 人力資源相關專案之規劃、執行與推動。 2.協助人力資源策略及政策推動

一、客戶經營與行政協助 1.協助推動企業客戶的日常聯繫、維繫關鍵客戶關係。 2.協助整理客戶需求，並配合主管及同仁規劃企業包班方案、撰寫提案簡報。 二、資源協調與專案執行 1.擔任組織溝通的橋樑，協助主管盤點院內外資源，確保專案順利推進。 2.協助主管追蹤新商業模式、新策略的執行進度與成效。

1.計畫資料收集清理與分類：包含計畫執行進度收集與內容檢查。 2.會議活動等行政庶務：計畫內外之例行會議、專家會議、論壇研討等相關活動協助辦理。 3.主管臨時交辦任務：包含其他臨時性活動執行支援與核銷庶務

1.化合物半導體磊晶開發(HEMT、VCSEL) 2.負責MOCVD磊晶設備操作 3.需撰寫磊晶程式並設計磊晶結構 4.需量測分析磊晶品質 ※使用過MOCVD磊晶設備為佳 ※了解GaN HEMT或VCSEL磊晶結構設計為佳